Baterías de iones de litio de 24 V y 100 Ah

Una estructura de texturizado eficaz puede aumentar-la corriente de cortocircuito, lo que contribuye a mejorar el rendimiento de las células solares. Este artículo detalló primero el comportamiento de corrosión de las obleas de silicio en un sistema HF/HNO3/H2O. Al variar la proporción de la solución de grabado, la temperatura y el tiempo, se investigaron la velocidad de corrosión, la reflectividad de la oblea de silicio y los parámetros de salida de la celda. Los experimentos encontraron que la velocidad de corrosión primero aumentó y luego disminuyó al aumentar el contenido de HF en el sistema HF/HNO3/H2O, y aumentó al aumentar la temperatura. En cuanto a la reflectividad, la relación HF:HNO3 de 3:1 produjo la reflectividad más baja para las obleas de silicio. Sin embargo, después del recubrimiento antirreflectante PECVD, esta ventaja disminuyó ligeramente en comparación con las obleas preparadas en otras condiciones de grabado. En cuanto a los parámetros de salida de la celda, la relación HF:HNO3 de 3:1 exhibió menor eficiencia, mientras que la relación HF:HNO3 de 1:5, con una reflectividad ligeramente mayor, logró la mayor eficiencia. Basado en una investigación sobre el comportamiento de corrosión de obleas de silicio en un sistema HF/HNO₃/H₂O, este artículo propone un nuevo método de texturizado que implica grabado con ácido secundario, que difiere de los procesos de producción convencionales. Inicialmente, la oblea de silicio se somete a un grabado primario en un grabador rico en HNO₃-, seguido de un grabado secundario en un grabador rico en HF-. Este método optimiza la textura de la superficie y reduce las pérdidas por reflexión de la luz en la superficie del silicio. Después de texturizar, la morfología de la superficie de las obleas de silicio se analizó utilizando un microscopio electrónico de barrido (SEM) y el espectro de reflectancia se midió utilizando un espectrofotómetro Carry 5000 UV-Vis-NIR. La reflectividad mínima del proceso de grabado secundario (sin recubrimiento antirreflectante) fue del 20,34%, un 2,36% menor que la del proceso de grabado primario (22,70%). Además, se aplicó el nuevo proceso de grabado secundario a la producción industrial de células solares y se analizaron los parámetros de salida de las células. Los resultados muestran que el voltaje del circuito abierto-, la corriente del cortocircuito-y la eficiencia de las células solares tratadas con el proceso de grabado secundario mejoraron en diversos grados en comparación con aquellas que utilizaron el proceso de grabado primario, alcanzando la eficiencia más alta el 15,45 %.